THB6064MQ 大功率、高细分 两相混合式步进电机驱动芯片 一、特性: ● 双全桥MOSFET 驱动,导通电阻Ron=0.5Ω ● 高耐压50VDC,大电流4.2A (峰值) ● 多种细分可选(1/2、1/8、1/10、1/16、1/20、1/32、1/40、1/64) ● 自动半流锁定功能 ● 4 档衰减方式可调 ● 内置温度保护及过流保护 管脚 输入/ 符号 功 能 描 述 编号 输出 1 输出 ALERT 温度保护及过流保护输出端 (常态为1,过流保护时为0) 2 — SGND 信号地外部与电源地相连 3 输入 DCY1 衰减方式控制端 4 输入 DCY2 衰减方式控制端 5 输入 Vref 电流设定端 (0—3V) 6 输入 VMB 电机驱动电源 B 相电源与A 相电源相连 7 输入 M1 细分数选择端(详见附表) 8 输入 M2 细分数选择端(详见附表) 9 输入 M3 细分数选择端(详见附表) 10 输出 OUT2B B 相功率桥输出端 2 11 — NFB B 相电流检测端应连接大功率检测电阻 12 输出 OUT1B B 相功率桥输出端 1 13 — PGNDB B 相驱动电源地与A 相电源地及信号地相连 14 输出 OUT2A A 相功率桥输出端 2 15 — NFA A 相电流检测端应连接大功率检测电阻 16 输出 OUT1A A 相功率桥输出端 1 17 — PGNDA 驱动电源地线 18 输入 ENABLE 使能端ENABLE=0所有输出为 0,ENABLE=1 正常工作 19 输入 RESET 上电复位端 20 输入 VMA A 相电机驱动电源与A 相电源相连 21 输入 CLK 脉冲输入端 22 输入 CW/CCW 电机正反转控制端 23 — OSC2 斩波频率控制端 24 输入 VDD 5V 电源芯片工作电源要求稳压 25 输出 Down 半流锁定控制端 输入输出端内部电路 输入端(M1,M2,M3,CLK,CW/CWW,DCY1, 输出端(DOWN,ALERT) DCY2,ENABLE,RESET) 四、电器参数: 较高额定值Absolute Maximum Ratings (Ta 25°C) 参数 符号 额定值 单位 VDD 6 较高电源电压 V VMA/B 50 较大输出电流 IO (PEAK) 4.2 A 较高逻辑输入电压 VIN 5.5 V 工作温度范围 Topr ?30 to 85 °C 储存温度范围 Tstg ?55 to 150 °C 正常运行参数范围Operating Range (Ta -30 to 85°C) 参数 符号 测试条件 较小 典型. 较大 单位 芯片工作电压 VDD ? 4.5 5.0 5.5 V 电源电压 VMA/B VMA/B ≥ VDD 4.5 ? 42 V 输出电流 IOUT ? ? ? 3.8 A 输入端口电压 VIN ? 0 ? 5.5 V 电流设定端 Vref ? 0.5 ? 3 输入脉冲 fCLK ? ? ? 200 KHz 斩波频率 Fchop 15 40 65 KHz 输出参数 Output Block 参数 符号 测试条件 较小 典型 较大 单位 输出电阻 Ron + Ron I 4 A ? 0.5 0.7 ? H L OUT tr RL 2 ?, VNF 0 V, ? 1.5 ? 开关特性 tf CL 15 pF ? 0.5 ? ?s 电器特性Electrical Characteristics (Ta 25°C, VDD 5 V, VM 24 V) 参数 符号 测试条件 较小 典型 较大 单位 输入电压 高 VIN (H) M1, M2, M3, CW/CCW, CLK, 2.0 ? VDD V 低 VIN (L) RESET,ENABLE,DCY1,DCY2 ?0.2 ? 0.8 M1, M2, M3, CW/CCW, CLK, IIN (H) RESET, ENABLE,DCY1,DCY2 ? 55 80 输入电流 VIN 5.0 V ?A IIN (L) VIN 0 V ? ? 1 输出开路, IDD1 RESET: H, ENABLE: H ? 3 7 M1:L, M2:L, M3:L (半步模 静态功耗 式) mA IDD2 RESET: L, ENABLE: H ? 2 7 IDD3 RESET: L, ENABLE: L ? 2 7 IM1 RESET: H/L, ENABLE: L ? 0.5 V supply current mA M IM2 RESET: H/L, ENABLE: H ? 1 较小脉冲宽度 tW (CLK) 2.3 — ? ?s 温度保护 TSD ? 170 ? °C 关断频率 Fosc2 Rosc=51KΩ 2.6 4 5.4 MHz 半流锁定时间典型值 1 2 4 Hz 五、使用说明 1.M1、M2、M3 可选择八种不同细分状态 M1 M2 M3 细分数 0 0 0 1/2 0 0 1 1/8 0 1 0 1/10 0 1 1 1/16 1 0 0 1/20 1 0 1 1/32 1 1 0 1/40 1 1 1 1/64 ** 0 为低电平,1为高电平 2.DCY1,DCY2:为衰减方式控制端。 调节它们的电平高低可以选择不同的衰减方式,从而获得更好的驱动效果: DCY2 DCY1 衰减方式 0 0 20%快衰减 0 1 40%快衰减 1 0 60%快衰减 1 1 80%快衰减 ** 0 为低电平,1为高电平 3.Vref:电流设定端 调整此端电压即可设定驱动电流值,其计算公式如下: Io (**)=Vref* (1/3)* (1/Rs) Vref 取值范围:0.5V—3.0V 【Rs 为检测电阻】 推荐值为 0.2Ω/2W 4.Down:半流锁定控制,电机锁定时降低功耗的功能。(参见下图) 当CLK 小于2Hz 时,DOWN 输出为 0; 当CLK 大于2Hz 时,DOWN 输出为 1; Down 常态为高阻状态(MOSFT 截止),此时 V 电压由R 和 R 分压决定形成设定电流。当 ref 1 2 启动半流锁定功能时,即输入频率CLK 小于2Hz 时,Down 为低电平(MOSFET 导通),Rdown 参 与R 、R 分压,从而降低了V ,也就减小了设定电流。Rdown 的阻值决定电流下降的幅度。 1 2 ref 即:改变锁定电阻Rdown 的阻值,可获得不同的锁定电流值。 5V R1 Down Rdown Q Vref R2 5. OSC2:设定衰减关断时间 需外接一个电阻,与内部电路组成一个 RC 振荡电路,其外接电阻 Rosc2 取值在 24KΩ与 160KΩ之间 Rosc2 180K 51K 24K Fchop 15KHz 40KHz 65KHz 6.ALERT :过流及过温保护输出端 正常状态下,ALERT 输出为高阻状态; 当有过流或过温现象时,此端输出低电平 7.CLK:脉冲输入端 (参见下表) -0.2V—VDD 方波,脉冲频率较高 200KHz,脉冲宽度较小2.3μS 8.CW/CCW:电机正反转控制端 (参见下表) CW/CCW 为低电平时,电机正转 CW/CCW 为高电平时,电机反转 9.RESTER:上电复位端 (参见下表) 利用RC 做一个上电复位电路,当RESTER 为低电平时,芯片复位,高电平时,芯片工作 10.ENABLE:使能端 (参见下表) ENABLE 为高电平时,芯片工作,为低电平时,芯片输出全为0 输入端 输出模式 CLK CW/CCW RESET ENABLE L H H 正转 H H H 反转 X X L H 初始模式 X X X L Z